금속 유기 프레임 워크 재료의 전기 발광 저항 효과 연구 신제품신기술2015. 4. 27. 15:51
전기 발광(Electroluminescent) 저항 효과(Resistive Effect)에 기반한 저항 랜덤 액세스 메모리(Resistive Random Access Memory, RRAM)는 비(非)휘발성(Nonvolatile) 메모리로 구조가 간단하고, 에너지 소모가 적으며, 밀도가 높고, 신속히 해독할 수 있는 등 강점을 보유하고 있기 때문에 발전 잠재력이 제일 큰 이머징 메모리 기술 중 하나로 평가 받고 있다. 동시에 웨어러블(Wearable) 전자 디바이스의 신속한 발전에 따라 플렉시블 전기 발광 저항 재료와 플렉시블 저항 메모리 디바이스 연구개발은 현재 과학기술계와 산업계의 높은 관심을 받고 있는 상황이다.
중국과학원 자성 재료 및 디바이스(Magnetic Materials and Devices) 중점 실험실(닝보 재료 기술 및 공정 연구소) 리룬워이연구원 연구팀은 최근 관련 연구를 통해 무기 및 유기 재료의 저항 효과 및 메커니즘에 대한 연구를 실행해 다양한 혁신적 과학연구 성과로 이슈가 되고 있다.
연구팀은 BiFeO3(Appl. Phys. Lett. 97, 042101(2010)), ZnO(Adv. Mater., 24, 3941 (2012)), HfO2(Adv. Funct. Mater. 24, 2110（2014）), 산화 그래핀(Appl. Phys. Lett. 95，232101(2009)， J. Mater. Chem. 22, 16422(2012)), 폴리 쉬프베이스(PA-TsOH)(J. Am. Chem. Soc, 134, 17408-17411 (2012)) 박막 등 재료 시스템 속에서 전기 필드 제어 활성 금속 이온 혹은 산소 이온 이전, 기능 그룹 흡수/탈착, 유기 이온 도핑 등 물리화학 과정을 통해 안정적인 저항 효과를 취득하는데 성공했다.
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