SK하이닉스, ‘나노 임프린트 리소그래피’ 개발 박차

SK하이닉스가 도시바와 ‘나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, NIL)’를 공동 개발하기로 하는 최종 계약을 맺었다. 양사 엔지니어들은 올 4월 일본 요코하마에 위치한 도시바 요코하마 공장(Yokohama Complex)에서 2017년 상용화를 목표로 기초 기술 개발에 착수할 예정으로, 이는 양사가 지난해 12월 체결한 양해각서(MOU)에 기반한 것이다.
도시바는 다수 장비 및 소재 기업과 NIL 개발에 협력하며 협력사의 기술과 도시바의 반도체 제조 공정을 통합해 왔다. 새로 발표된 SK하이닉스와의 공동 개발 프로그램은 상용화 과정에 속도를 붙이는 한편 도시바의 NIL 개발 투자 부담을 덜어줄 전망이다.
NIL은 미래 세대 메모리 장치로의 전환을 앞당기기 위한 후보 기술 중 하나다. 현재의 주류 공정 기술인 포토리소그래피는 반도체 웨이퍼 상의 감광 코팅에 레이저와 감광성 마스크를 사용해 회로를 형성한다. NIL은 웨이퍼 위에 패턴화된 탬플릿을 찍음으로써 회로 설계를 직접 새긴다. 이로써 보다 정밀한 설계가 가능해질 것으로 기대된다.

 

▲ 나노임프린트 리소그래피 공정흐름도(사진. 한국과학기술정보연구원)

※ 출처 : EngNews (산업포탈 여기에) - SK하이닉스, ‘나노 임프린트 리소그래피’ 개발 박차