질화 갈륨 강화형 MIS-HEMT 디바이스 개발

질화 갈륨 강화형 MIS-HEMT 디바이스 개발

 

 

 

중국과학원 마이크로 전자 연구소 산하 ‘질화 갈륨(Gallium Nitride, GaN) 파워 전자 디바이스(Devices) 연구팀’은 홍콩 과학기술 대학 천징(陳敬) 교수 연구팀, 시안(西安) 전자과학기술대학 하오웨(?躍) 교수(중국과학원 원사(院士)) 연구팀과 협력해 GaN 강화(Enhanced)형 MIS-HEMT 디바이스 연구 개발 분야에서 혁신적인 성과를 취득하며 이슈로 떠올랐다. 연구팀은 이번 연구를 통해 국제 선진 수준에 도달한 고 주파수 강화형 GaN MIS-HEMT 디바이스를 개발하는데 성공했다.
3세대 반도체 재료인 질화 갈륨은 높은 밴드 갭 폭, 높은 전기장(Electric Field) 관통, 높은 포화 전자 표류 속도(Drift Speed) 등 우수한 물리적 특성을 보유하고 있으며, 특히 재료 자체의 강한 자발적 및 압전 편광 효과(Piezoelectric Polarization Effect)는 AlGaN/GaN 헤테로 구조(Heterostructures) 속에서 고 밀도, 높은 이전 비율을 보유한 2차원 전자 기체(Electron Gas)(이전 비율은 2,000㎠/V·s 이상 수준에 도달함)를 유도하고 있는데, 이미 전통 Si 베이스 파워 디바이스 재료의 극한을 돌파했다.
이런 우수한 특성은 GaN 파워 전자 디바이스로 하여금 작업 주파수와 전기 에너지 전환 효율 상에서의 우세를 뚜렷이 나타낼 수 있도록 하기 때문에 효율적이고 에너지를 절약할 수 있는 차세대 파워 전자 디바이스 개발에서 최적 후선 재료 중 하나로 평가받고 있다.

※ 출처 : EngNews (산업포탈 여기에) - 질화 갈륨 강화형 MIS-HEMT 디바이스 개발